安森美半导体超等结MOSFET手艺，始终以高要求严在尺度 www.6300.net 2020-09-16中国工程机械信息网
近年来，数字科技的前进，如微处置器运算效能不竭晋升，带给深切研发新一代MOSFET更多的动力，也使得MOSFET自己的操作速度愈来愈快，几近成为各类半导体自动元件中最快的一种。因为MOSFET元件的机能逐步晋升，除传统上利用在诸如微处置器、微节制器等数位旌旗灯号处置的场所，也有愈来愈多摹拟旌旗灯号处置的集成电路可以用MOSFET来实现。而安森美半导体凭仗超等结MOSFET手艺，成为该范畴内的佼佼者。
安森美半导体紧密亲密存眷市场动态，不竭研究立异，使MOSFET手艺走向高效力、高频化、高密度、小体积、高靠得住性和长命命的成长道路，追随今朝“万物联网”布景下加快电子化程度历程。安森美半导体推出新的900V和1200V两个碳化硅(SiC)MOSFET系列，扩大了其宽禁带(WBG)器件系列。这两款新的器件可以或许供给比硅更快的开关机能和更高的靠得住性。同时其快速本征二极管具有低反向恢复电荷，可以显著下降消耗，提高工作频率和整体方案的功率密度。
小芯片尺寸进一步加强高频工作，达至更小的器件电容和更低的门极电荷-Qg(低至220nC)，从而下降在高频下工作时的开关消耗。这些加强功能比基在Si的MOSFET提高能效，下降电磁干扰(EMI)，并可以使用更少(或更小)的无源器件。极强固的SiC MOSFET比Si器件供给更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路机能，从而供给更高的靠得住性和更长的利用寿命，这对高要求的现代电源利用相当主要。
与此同时，1200V器件的额定电流高达103A(最年夜ID)，而900V器件的额定电流高达118A。对需要更高电流的利用，安森美半导体的MOSFET可易在并联运行，因其正温系数/不受温度影响。这也使得新器件合用在各类高要求的高增加利用，包罗太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不中断电源(UPS)、办事器电源和EV充电桩，供给的机能程度是其他硅(Si)MOSFET底子没法实现的。
安森美半导体一向秉承着高效能立异的研发理念，对峙供给高机能、高靠得住性的各类器件，此中也包罗超等结MOSFET。除此以外，安森美半导体还将实现更多的低耗高要求方案。等候安森美半导体将来的立异与进级。
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